白光LED

1993年，日本日亞化學工業（Nichia Corporation）工作的中村修二（Shuji Nakamura）成功把氮滲入，造出了基於寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）和銦氮化鎵（InGaN）、具有商業應用價值的藍光LED。
有了藍光LED後，白光LED也導隨即面世，之後LED便朝增加光度的方向發展，當時一般的LED工作功率都小於30至60mW（毫瓦）。1999年輸入功率達1W（瓦）的LED商品化。這些LED都以特大的半導體晶片來處理高電能輸入的問題，而半導體晶片都是被固定在金屬片上，以助散熱。