原子的相對大小
場效電晶體
場效電晶體 場效電晶體雙極性電晶體的發明產生了革命性的影響，但在現今你我使用的任何電子產品中，可以說是百分之八九十的電晶體都是以矽為基礎材料的場效電晶體。 1960 年代，科學家發現可藉由高溫時在矽表面生長一層二氧化矽來降低表面態缺陷的密度，因此才開啟了場效電晶體的時代。 矽喜歡跟它的氧化物 — 二氧化矽鍵結且其非常穩定，此外二氧化矽與其它金屬材料之間的黏結性亦甚佳，對於後續的元件製作程序都有比其它半導體壓倒性的勝出優勢。
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光電效應
光電效應 光電效應，是指光束照射物體時會使其發射出電子的物理效應。發射出來的電子稱為「光電子」。 愛因斯坦在 1905 年發表了論文使用普朗克的光粒子假設解釋了光電效應。跟據普朗克的理論，光線的能量只由其頻率而定。 由於同一頻率的光子能量固定，假設每個電子每次只能吸收一個光子，那麼只有在光子頻率足夠高（即能量足夠大）時電子才有足夠能量擺脫物質的吸引力。 同樣地，假設每個電子每次只能吸收一個光子，如果光子頻率足夠高的話電子就能立即擺脫物質。 物質束縛的電子只能擁有某些數值的能量。換句話說，物質中電子的能量是不連續的，我們稱之為能階 (energy level)。 光電效應公式指出被釋放的電子的能量與光子頻率成正比，現在應用在很多感應器上，自動化感知器受應用光電效應原理做出來的。
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